TSM900N06CH X0G
Producentens produktnummer:

TSM900N06CH X0G

Product Overview

Producent:

Taiwan Semiconductor Corporation

Delnummer:

TSM900N06CH X0G-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Lager:

48855 Stk Nye Originaler På Lager
12899864
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

TSM900N06CH X0G Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
500 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
25W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-251 (IPAK)
Pakke / etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis produktnummer
TSM900

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
75
Andre navne
TSM900N06CH X0G-DG
TSM900N06CHX0G

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
diodes

DMG6968U-7

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3

taiwan-semiconductor

TSM055N03EPQ56 RLG

MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN

diodes

MMBF170Q-7-F

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

diodes

DMN3027LFG-7

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8